BLF6G10LS-200 /T3 datasheet
买卖IC网搜索
IC现货
IC急购
供应
首页
IC现货
IC急购
供应
资讯
展会
生意社区
我的买卖
买卖IC网
>>
产品目录
>> BLF6G10LS-200 /T3 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BLF6G10LS-200 /T3
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G10LS-200 /T3 PDF下载
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压
65 V
漏极连续电流
49 A
闸/源击穿电压
13 V
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT502B
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
BLF6G10LS-200 /T3
BLF6G10LS-200,112
BLF6G10LS-200,118
BLF6G10LS-200/T3
BLF6G10LS-200R
BLF6G10LS-200R,112
供应商
公司名
电话
深圳市华雄半导体(集团)有限公司
17623594308
苗凤军
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
86-755-84501749
李先生
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
0755-83979745
陈伟
BLF6G10LS-200 /T3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
BLF6G10LS-200 /T3 相关型号
BLF6G10LS-200R
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G10LS-200R /T3
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G10S-45
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G20-110
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G20-230PRN
射频MOSFET电源晶体管 230W, 1800-2000MHz
BLF6G20-45
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G20-45 /T3
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G20LS-110
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G20LS-110 /T3
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G20LS-140
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS